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霍尔传感器（HallEffectSensors）HSU-1未封装型霍尔传感器（HSU-1UnpackagedHallEffectSensor）这是一款构建在陶瓷基板上未封装型霍尔传感器，有效面积为100um×100um
HSU-1未封装型霍尔传感器（HSU-1 Unpackaged Hall Effect Sensor）
这是一款构建在陶瓷基板上未封装型霍尔传感器，有效面积为100um×100 um。该类型传感器尺寸很小，适合空间受限场合下磁场测试。
HSU-1未封装型霍尔传感器和示意图
HSP-T横向霍尔传感器（HSP-T Transverse Hall Effect Sensor）
该传感器被横向安装在基板上并灌装环氧树脂固定封装，与其它常见霍尔传感器相比，该款传感器霍尔电压与磁场呈高度线性，且灵敏度与温度关联不大，可在更大磁场范围和更广温度范围下工作。
HSP-T横向霍尔传感器和示意图
HSP-A轴向霍尔传感器（HSP-A Axial Hall Effect Sensor)
该传感器安装在轴向基座上，霍尔电压不小于10mV@Telsa，比之前其它类型的灵敏度提高25%。
HSP-A轴向霍尔传感器和示意图
几种霍尔传感器的性能参数表
|
| HSU-1 | HSP-T | HSP-A |
| Magnetic Field Range | 0 - 33T | 0 - 30T | 0 - 30T |
| Temperature Range | 1.5K - 350K | 1.5K - 350K | 1.5K - 350K |
| Nominal Current In | 20 mA | 100 mA | 100 mA |
| Sensitivity | > 5 mV/T | > 10mV/T | > 10mV/T |
| Linearity Error (300K) | < 0.1% (B=0-1T) | < 0.2%(B=0-1T) | < 0.2% (B=0-1T) |
| Linearity Error (4.2K) | < 1.0% (B=0-5T) | < 1.0% (B=0-5T) | < 1.0% (B=0-5T) |
| Mean Temperature Coefficient of Sensitivity | 2×10-5/K | 2×10-5/K | 2×10-5/K |
| Active Sensing Area | 100 um×100 um | 0.625mm2 | 0.05mm2 |
| Residual Voltage | < 20uV | < 20uV | ±10uV |
| Quantum Oscillations Begin | 2.0K | 2.0K | 2.0K |
| Amplitude of Quantum Oscillations | < 0.1% | < 0.1% | < 0.1% |
| Input Resistance at 4.2K (zero field) | 1.8 ohms | 1.8 ohms | 1.8 ohms |
| Dimensions | 5mm×4mm×0.7mm | 7mm×5mm×1mm | 6mm O.D.×8mm |
备注：这几款Hall传感器都可在低温强磁场下工作，在300K有一个校准点，可选配4.2K@9Tesla校准点。
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