上海堂瑞实业有限公司
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SL353系列微功耗全极霍尔效应数字式位置传感器集成电路概述SL353系列传感器IC（集成电路）是小型的、多功能的数字式霍尔效应器件，由永磁体或电磁体所激励的磁场操作
SL353系列传感器IC（集成电路）是小型的、多功能的数字式霍尔效应器件，由永磁体或电磁体所激励的磁场操作。该系列灵敏度设计旨在满足低功耗要求下的多种潜在应用。
SL353系列可对北极或南极进行响应，即该系列产品无需辨别磁极，从而使得安装简单，降低了系统成本。
该系列低功耗传感器采用BiCOMS（双极互补金属氧化半导体）技术及定时电路。定时电路仅在短时间内接电--周期内其它时间（占空比）断电--可显著降低平均电流消耗。
产品可在低至2.2 V的输入电压下工作，提高能效。
产品的推挽输出可无需上拉电阻，且可在电流极低时工作，有助于降低成本及电流总消耗。
SL353LT 对于电池供电及移动型应用中要求超低功耗传感的设备制造商，霍尼韦尔的SL353LT全极霍尔效应传感器IC可提供超低功耗（1.8 μA, 2.8 Vdc）的传感器集成电路，且有助于降低PCB（印刷电路板）尺寸、零件数及整体应用成本。
与其它微功耗霍尔效应传感器不同，SL353LT采用无斩波稳定式设计，微型SOT-23封装，全极感应，同级产品中最短的正常模式时间和的平均电流等特点，可在超低功耗传感的同时确保更低的噪声排放，且降低PCB板尺寸和整体应用成本。
SL353系列有两种占空比配置，可满足多种应用需求：
SL353HT：高占空比（13%，典型值），要求高切换速度，与标准霍尔效应传感器相比，该配置需要较低电流（0.33 mA，典型值）。
SL353LT：极低占空比（0.013%，典型值），该配置可使得电池使用寿命更长，极低工作电流（1.8 μA，典型值），但不要求高切换速度。
SL353系列典型操作点为25 °C [77 °F]时 ±60 Gauss。
该系列传感器采用卷带形式包装（每卷3000个）微型SOT-23表面安装式封装，可用于自动化取放元器件安装。
SL353HT 对于需要使PCB板在有高切换频率要求的绿色节能产品中得到利用的设备制造商，霍尼韦尔的SL353HT全极霍尔效应传感器IC可提供微功耗传感器集成电路，可用于高切换频率的应用场合。
与其它标准霍尔效应传感器不同，SL353HT具有微功耗（0.33 mA，2.8 Vdc)，高占空比（13%，典型值），微型SOT-23封装等特点，可在高切换频率应用场合中使PCB板得到利用。
★ 能效：输入电压可低至2.2 Vdc，结合极低的平均电流（SL353LT该项典型值为1.8 μA，为同级产品中），可降低功耗，延长电池使用寿命，提高能效
★ 推挽输出，无需外部上拉电阻：简化了与通用电路的接口，减少了PCB板的尺寸，降低客户支出
★ 无斩波稳定式设计：没有采用斩波稳定，降低产品噪声。这样，客户即无需使用外部滤波电路，有助于减少PCB板尺寸和零部件个数，降低应用成本。
★ 多功能：全极且带有高/低占空比可选，可用于有微功耗要求和/或电池供电场合的多种潜在应用，包括运动控制、合盖检测、隐现检测、计量、位移传感等
● 稳定：热平衡集成电路，确保在-40°至85°C [-40°至185°F]的温度范围内可稳定工作
● 微型尺寸：SOT-23微型封装尺寸，占用PCB板空间更小，可用于微小型装配
● 价格有竞争力：通过使用BiCMOS技术，霍尼韦尔成功设计出尺寸更微小的集成电路，在满足客户需求的同时节省制造成本，从而降低客户支出
● 有助于降低整体系统成本：产品可对北极或南极工作，无需辨别磁极，从而使得安装更简单，降低系统成本
● 降低制造成本：SL353系列为卷带形式包装，可用于自动化、低成本的取放生产，帮助客户降低制造成本
● 卷带形式包装：使得自动化元件安装的紧凑型设计成为可能，有助于降低制造成本
● 符合相应标准：采用符合RoHS标准的材料，满足2002/95/EC要求
电池供电和移动型设备，如：
● 笔记本电脑、扫描仪、手持式工业计算机和仪器仪表等的合盖检测
● 移动打印机头位置传感
● 小型、手持式医疗与牙科设备
● 电池供电型手持工具的触发开关（如，手钻、起子等）
● 电池供电型安全系统中替换干簧管
● 磁性编码器
● 小型电池供电设备（如，真空吸尘器、风扇等）中的电源开关或开闭检测
● 远程电池供电型电表或气表消耗计量
| 特征参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 值 | 单位 |
| 输入电压 (Vs) | Ta = -40 °C to 85 °C | 2.2 | 2.8 | 5.5 | V |
| 正常模式电流 | Vs = 2.8 V, Ta = 25 °C Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C | − − | 2.5 2.5 | 4 9 | mA |
| 休眠模式电流 | Vs = 2.8 V, Ta = 25 °C Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C | − − | 1.5 1.5 | 2.5 8 | μA |
| 平均电流： SL353HT SL353HT SL353LT SL353LT | Vs = 2.8 V, Ta = 25 °C Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C Vs = 2.8 V, Ta = 25 °C Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C | − − − − | 0.33 0.33 1.8 1.8 | 0.64 2.3 3 9 | mA mA μA μA |
| 正常模式时间 | Vs = 2.8 V, Ta = 25 °C Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C | 3 3 | 6 6 | 9 30 | μs |
| 周期： SL353HT SL353HT SL353LT SLS353LT | Vs = 2.8 V, Ta = 25 °C Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C Vs = 2.8 V, Ta = 25 °C Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C | 30 20 30 20 | 45 45 45 45 | 80 150 80 150 | μs μs ms ms |
| 占空比： SL353HT SL353HT SL353LT SL353LT | Vs = 2.8 V, Ta = 25 °C Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C Vs = 2.8 V, Ta = 25 °C Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C | 10 5 0.01 0.005 | 13 13 0.013 0.013 | 16 25 0.016 0.025 | % |
| 输出电压1： 高 高 低 低 | Vs = 2.8 V, Ta = 25 °C, load current = 100 μA Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C, load current = 100 μA Vs = 2.8 V, Ta = 25 °C, load current = 100 μA Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C, load current = 100 μA | Vs - 0.15 Vs - 0.25 − − | Vs - 0.11 Vs - 0.11 0.11 0.11 | − − 0.15 0.25 | V |
| 操作点（正） | Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C | 20 | 60 | 110 | Gauss |
| 操作点（负） | Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C | -110 | -60 | -20 | Gauss |
| 释放点（正） | Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C | 5 | 45 | 95 | Gauss |
| 释放点（负） | Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C | -95 | -45 | -5 | Gauss |
| 回差 | Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C | 3 | 15 | 60 | Gauss |
| 工作温度 | Vs = 2.2 V to 5.5 V, Ta = -40 °C to 85 °C | -40 [-40] | − | 85 [185] | °C [°F] |
| 存储温度 | − | -40 [-40] | − | 150 [302] | °C [°F] |
注1: 霍尔效应传感器上电时，若施加磁场处于回差段（施加的磁场& Brp及< Bop），传感器在ON或OFF状态下均可能存在初始输出。霍尼韦尔建议在输入电压到达额定值后等待10微秒，让输出电压达到稳定状态。
| 特征参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 值 | 单位 |
| 输入电压 | − | -0.5 | − | 6 | V |
| 工作温度 | 周围环境 | -40 [-40] | − | 150 [302] | C [°F] |
| 焊接温度 | 此温度下<10秒 | − | − | 265 [509] | C [°F] |
| 输出（负载）电流 | − | − | − | 5 | mA |
注1: 引发传感器状态改变（操作和释放）所需的磁场强度（高斯）与磁特征参数中的规定值相同。如需测试传感器所规定的磁特征参数，必须将其置于均匀的磁场中。
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