日立集团
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CG6300提供更高的解析度、测量再现性以及高画质高解析度FEB测量装置（CD-SEM）CG6300通过电子光学系统的全新设计提高了解析度，并进一步提高了测量可重复性和图像画质。 电子显微镜线圈能够选择从对象材料反射出的二次电子和背向散射电子，实现BEOL制程*1的Via-in-trench*2和3D-NAND、DRAM工程中的深沟槽・洞底的尺寸测量。 此外，电子束的扫描速度是前机型的两倍，可以减小Wafer表面带电的影响，更好的获取高解析度图像并能够通过高对比度检测Edge。 还有新设计的芯片载台与前型号相比每小时处理晶圆数量提高20％以上从而提高生产力，并降低用户的Cost of Ownership*3。另外，为了应对装置的大规模生产，装置间的机差抑制到了最小，从而实现了长期稳定运行。*1BEOL工艺（Back End Of Line）：半导体前端工艺中的配线形成工艺。*2Via-in-trench：BEOL工艺中凹槽的底部设置孔的构造，洞深比高于从前。*3Cost of Ownership：设备・机器等安装和运行管理所需的总费用。
CG6300提供更高的解析度、测量再现性以及高画质
高解析度FEB测量装置（CD-SEM）CG6300通过电子光学系统的全新设计提高了解析度，并进一步提高了测量可重复性和图像画质。
电子显微镜线圈能够选择从对象材料反射出的二次电子和背向散射电子，实现BEOL制程*1的Via-in-trench*2和3D-NAND、DRAM工程中的深沟槽・洞底的尺寸测量。
此外，电子束的扫描速度是前机型的两倍，可以减小Wafer表面带电的影响，更好的获取高解析度图像并能够通过高对比度检测Edge。
还有新设计的芯片载台与前型号相比每小时处理晶圆数量提高20％以上从而提高生产力，并降低用户的Cost of Ownership*3。另外，为了应对装置的大规模生产，装置间的机差抑制到了最小，从而实现了长期稳定运行。
| 晶圆尺寸 | Φ300 mm （SEMI 标准规格 V notched wafer） |
|---|---|
| 自动装片 | 3 FOUP*4 -compatible random access |
| 电源 | 单相AC200V、208V、230V、12kVA（50/60Hz） |
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