深圳市顺心科技有限公司
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蔡司 Crossbeam 将场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）镜筒的强大成像和分析性能与新一代聚焦离子束（FIB) 的优异加工能力相结合。无论是切割、成像或进行 3D 分析，Crossbeam 系列都能极大地提升您的应用体验。借助 Gemini 电子光学系统，您可从高分辨率扫描电子显微镜（SEM）图像中获取真实的样品信息。Ion-sculptor FIB 镜筒整体上引入了全新的 FIB 加工方法。这种方法能够减少样品损伤，提升样品质量，从而加快实验进程。通过为您量身定制仪器，可以实现高质量和高速度的 TEM 薄片样品制备。Crossbeam 350 具有可选的可变气压功能。Crossbeam 550 可以针对您急需的样品实现更严苛的制样与表征，以及选择更适配样品的样品仓尺寸。无论用于科研机构还是工业实验室，单用户实验室或多用户实验平台，如果您追求获得高质量，高影响力的实验结果，则蔡司 Crossbeam 的模块化平台设计允许您根据自身需求变化，随时对仪器系统进行升级。
Crossbeam 350 的 Gemini 可变气压镜筒适用于各类样品，用途广泛。利用可变气压模式，可进行原位实验，即便样品含有气体或容易荷电，也能提供出色的分析环境。
Crossbeam 550 的 Gemini II 镜筒与其双聚光镜系统在低电压或高束流下也能获得高分辨率图像， 如需在高束流条件下获得高分辨率图像以及进行快速分析，这无疑是您的理想之选。
| 型号 | 察司 Crossbeam 350 | 察司 Crossbeam 550 |
| 扫描电子显微镜（SEM） | 肖特基发射源 | 肖特基发射源 |
| 1.7 nm @ 1 kV | 1.4 nm @ 1 kV | |
| 1.2 nm @ 1 kV,配备 Tandem decel | ||
| 1.6 nm @ 2（X） V,配备 Tandem decel | ||
| 0.9 nm @ 5 kV | 0.7 nm© 15kV | |
| 0.7 nm 仞 30 kV （STEM 模式） | 0.6nm@30kV （STEM 模式） | |
| 2.3 nm © - kV （工作距离 5 mm） | 1.8 nm © 1 kV （工作距离 5mm） | |
| 1.3 nm © 1 kV.配备 Tandem deed （工作距离 5 mm） | ||
| 1.1 nm © "5kV （工作距离 5 mm） | 0.9nm@ 15kV （工作距离 5 mm） | |
| 2.3 nm 仞 20 kV & 10 nA （工作距离 5 mm） | 2.3nm@20kV&10nA （工作距离 5 mm） | |
| 电子束流：5 M-100 nA | 电子束流：10 pA-100 nA | |
| 聚焦离子束（FIB） | 液态金属离子源：寿命：3000 pAh | 液态金属离子源：寿命：3000 pAh |
| 分辨率：3nm@30kV （统计方法） | 分辨率：3nm@30kV （统计方法） | |
| 分辨率：120nm@1 kV&10pA （可选） | 分辨率：120nm 仞 1 kV& 10pA | |
| 检测器 | Intens SE. hlens EsB. VPSE （可变气压二次电子探測劉、 SESI （二次电子二次离子探測器）、aSTEM （扫描透射电子探測器）、 aBSD （背散射探測器） | Inlens SE. Intens EsE. ETD （Everhard-Thomley 探測器）、 SESI （二次电子二次离子探测器）、aSTEM （扫描透射电子探测器）、 aBSD （背散射探测器）和CL （阴披荧光探测器） |
| 样品仓规格和鎭口 | 标准样品仓配有18个可配買端口 | 标准样品仓配有18个可配買端口 大型样品仓配有22个可配置说口 |
| 样品台 | X/Y = 100 mm | X/Y = 100 mm X/Y = 153 mm |
| Z = 50 rnrr, Z '=13 mm | Z = 50 mm. Z * = 13 mm Z = 50 mm. Z * = 20 mm | |
| T = -4° 至 70。，R = 360° | T = -4° 至 70。，R =360° T=-15。至 70。，R = 360° | |
| 电荷控制 | 电子束流枪 | 电子束流枪 |
| 局部电荷中和箋 | 局部电荷中和箋 | |
| 可变气压 | — | |
| 气体 | 单通道气体注入系统:Pt. C. SiO,. W. H.0 | 单通道气体注入系统：Pt. C. SiOx. w. h2o |
| 多通道气体注入系统：Pt. C. W. Au. H2O. SiOx XeF2 | 多通道气体注入系统：Pt. C、W、Au. A。、SOX. XeF2 |
| 典型应用，典型样品 | 任务 | 蔡司Crossbeam应用案例 |
| 横截面切割 | 获取横裁面的高渤率醐，以得到亚表面信息。 | Crossbeam提供一系列用于全面样品表征的探测器，可同时呈现四种探測器信号，从 样品中得到更多信息。Gemini镜筒的设计可避免样品暴路于磁场中，在大观察视野下 圏像无崎变。高达50 kx 40 k的图像帧存储分辨率令Crossbeam成为大面枳作分布囲 应用的理想之选。 |
| FIB-SEM断层扫描成像 | 可在获得一系列哉面图像后进行3D重构。 | Inlens EsB探测器提供优异的材科成分衬度，并由于其只探測样品表面几纳米深度内的 信号从而实现极表面成像。在F旧切割时使用EsB成像可使持续时间较长的实验效率 更高。智能软件解决方案能锣在短时间内实现长时间无人值守的3D数据采集工作，以 获得可靠和精确的结果。 |
| 生命科学领域中的FIB-SEM三维至构 | 获取横裁面的高渤图像或执行大量断层扫描，以逬行形态分析。 | 通过对感兴趣区域进行精准定位.成像以及重构来获取生物样品的3D信息。 |
| 3D分析 | 研究样品的化学和晶体微观结构。 | Crossbeam是对样品诳行3D EDS和3DEBSD分析的利器，可通过提供的不同软 件包全自动采集3D数据集。 |
| TEM样品制备 | 制谨TEM或STEM薄片样品，以进行分析。 | Crossbeam提供了完整的TEM薄片样品制备解戻方案，昼至可逬行批量制备。 Ion-sculptor FIB镜筒貝有在低电压下获取高质量薄片样品的出色性能，可避免情密样品 的非晶体化，定会让您受益匪浅。只需完成简单的三步工作流程，然后等待自动执行即 可。在最终筋薄期间，采用获得的X2样品夹可制备高质量的薄片样品。终点探測软 件能够获取薄片样品厚度的精确信息，对您大有助益。 |
| 纳米图形化加工 | 利用FIB （或SEM）结合不同的辅助气体， 创建新结构或对现有结构进行加工。 | 在SEM的全面实时控制下逬行FIB圏形化加工。在FIB圏像中选择和绘制您要创建的形 状、设置参数并开始加工即可。即使臺无经验的用户也可利用此方便易用的系统软件获 得出色的成像结果。在多数高级加工任务中，您可使用软件访问所有相关的SEM、F旧 或GIS参数，从而在单个对象层面上定制的F旧加工方案。您可在潔线状态下计划 和创建FIB任务。 |
| 电池或聚合物的表面高灵敏分析 | 对固体表面几个原子层的组分逬行表征。 | 新増ToF-SIMS飞行时间二次离子段谱仪使您能够分析锂等微量元素，检测同位素， 并作元素分布图及深度剖面分析，其横向分析分辨率低至35nmo |
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