深圳市安科半导体科技有限公司
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FD1000R17IE4,图片。
产品型号参数说明封装形式
FF600R17KE3_B2600A , 1700V , IGBT3IHM 130 mm
FF600R17KE3600A , 1700V , IGBT3IH
FD1000R17IE4,FD1000R17IE4图片。
（作者：深圳市安科半导体科技有限公司）--有售 O755+33I7 62O5,Q+1335871191
半桥(2单元)
产品型号 参数说明 封装形式
FF600R17KE3_B2 600A , 1700V , IGBT3 IHM 130 mm
FF600R17KE3 600A , 1700V , IGBT3 IHM 130 mm
FF600R17KF6C_B2 600A , 1700V , IGBT2 IHM 130 mm
FF650R17IE4 650A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 2
FF650R17IE4D_B2 650A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 2
FF800R17KE3_B2 800A , 1700V , IGBT3 IHM 130 mm
FF800R17KE3 800A , 1700V , IGBT3 IHM 130 mm
FF800R17KF6C_B2 800A , 1700V , IGBT2 IHM 130 mm
FF800R17KP4_B2 800A , 1700V , IGBT4 IHM 130 mm
FF1000R17IE4 1000A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 3
FF1000R17IE4D_B2 1000A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 3
FF1200R17KE3_B2 1200A , 1700V , IGBT3 IHM 130 mm
FF1200R17KE3 1200A , 1700V , IGBT3 IHM 130 mm
FF1200R17KP4_B2 1200A , 1700V , IGBT4 IHM 130 mm
FF1400R17IP4 1400A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 3
PDF中文资料，datasheet详细参数，中文参数，操作方案，进口*现货价格，产品库存状况。（如有需要 敬请“安科半导体"，可提供）
600V系列IGBT模块，1200V系列IGBT模块，1600V系列IGBT模块，1700V系列IGBT模块，3300V系列IGBT模块 ，6500V系列IGBT模块：
DN2系列：频率范围10KHZ-20KHZ，饱和压降：2.5V-3.1V；
DN2系列：频率范围4KHZ-8KHZ，饱和压降：2.1V-2.4V；
KS4系列：频率范围15KHZ-30KHZ，饱和压降：3.2V-3.85V；
KE3系列：频率范围4KHZ-10KHZ，饱和压降：1.7V-2.0V；
KT3系列：频率范围8KHZ-15KHZ，饱和压降：1.7V-1.9V；
，可控硅，infineon , eupec 。
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