大伙儿应当都了解，在生产制造处理芯片的情况下，有两个大中型机器设备，一个是光刻技术，此外一个便是蚀刻机，那麼有的盆友便会问，什么叫光刻技术，什么叫蚀刻机，它俩究竟有什么差别呢？今日我们就跟大伙儿好好说说哈，当期知识要点很聚集，大伙儿都听好了哈。
这俩设备简易的表述便是光刻技术把原理图投射到遮盖有光刻技术的单晶硅片上边，刻蚀机再把刚刚画了原理图的单晶硅片上的不必要原理图浸蚀掉，那样看上去好像没有什么难的，可是有一个品牌形象的形容，每一块处理芯片上边的电源电路构造变大成千上万倍看来比全部北京市都繁杂，这就是这光刻技术和蚀刻的难度系数。
光刻技术的全过程就是目前制做好的硅圆表层涂上一层光刻技术（一种能够被光浸蚀的胶状物化学物质），接下去根据光源（加工工艺难度系数紫外线＜深紫外线＜极紫外线）通过掩膜照射硅圆表层（相近投射），由于光刻技术的遮盖，照射的一部分被浸蚀掉，沒有阳光照射的一部分被留下，这些就是必须的电源电路构造。
蚀刻分成二种，一种是干刻，一种是湿刻（现阶段流行），说白了，湿刻便是全过程中有冰添加，将上边历经光刻技术的圆晶与特殊的化学溶液反映，除掉不用的一部分，剩余的就是电源电路构造了，干刻现阶段都还没完成商业服务批量生产，其基本原理是根据等离子技术替代化学溶液，除去不用的硅圆一部分。
现阶段在我国光刻技术和蚀刻机的发展趋势非常尴尬，归属于比较严重两极分化的状况，中微半导体7nm蚀刻机的批量生产，立即迈进队伍，5nm蚀刻机也在试验环节，在这里两条道路上，蚀刻机要继续努力，而光刻技术则必须奋起直追。
